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IXTA 42N25P IXTP 42N25P
IXTQ 42N25P
70
Fig. 7. Input Adm ittance
30
Fig. 8. Transconductance
60
50
40
30
27
24
21
18
15
12
T J = -40oC
25oC
125oC
20
10
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
9
6
3
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
120
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
105
90
75
60
9
8
7
6
5
V DS = 125V
I D = 21A
I G = 10mA
45
30
15
0
T J = 125oC
T J = 25oC
4
3
2
1
0
0.4
0.6
0.8 1
V S D - Volts
1.2
1.4
0
10
20 30 40 50
Q G - nanoCoulombs
60
70
10000
Fig. 11. Capacitance
1000
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
1000
f = 1MHz
C iss
100
R DS(on) Limit
T J = 150oC
T C = 25oC
C oss
25μs
100μs
100
10
C rss
10
1
DC
1ms
10ms
0
5
10
15 20 25
V D S - Volts
30
35
40
10
100
V D S - Volts
1000
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